在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间详情介绍‌我公...

在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间

即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为...

表面光电压法（Surface Photovoltage Method，简称SPV法）是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方...

霍尔迁移率（Hall mobility）是指‌Hall系数RH与‌电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲‌。其表达式为μH =│RH│σ。‌12定义和计...

非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，涡流法电阻率探头和PN探头测试仪，迁移率（霍...

霍尔迁移率测试仪主要利用微波测试原理，非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试，亦可以实现面扫描的测试功能，具有快速，无...

我司主营：晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率（霍尔）测试仪，迁移率少子寿命测试仪。